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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。62251+￥404.849510+￥394.288250+￥386.1912100+￥383.3748200+￥381.2626500+￥378.44621000+￥376.68602000+￥374.9258 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 109A 4Pin SOT-22782351+￥181.227410+￥176.499750+￥172.8751100+￥171.6144200+￥170.6689500+￥169.40821000+￥168.62022000+￥167.8323 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 521000mW 4Pin SOT-22782831+￥511.521210+￥498.177150+￥487.9467100+￥484.3883200+￥481.7195500+￥478.16111000+￥475.93712000+￥473.7131 -
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品类: IGBT晶体管描述: 升压斩波NPT IGBT Boost chopper NPT IGBT95471+￥293.322510+￥285.670650+￥279.8041100+￥277.7636200+￥276.2332500+￥274.19271000+￥272.91742000+￥271.6421 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs99541+￥235.651110+￥229.503750+￥224.7907100+￥223.1513200+￥221.9219500+￥220.28261000+￥219.25802000+￥218.2334 -
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品类: IGBT晶体管描述: ISOTOP降压斩波沟道IGBT ISOTOP Buck chopper Trench IGBT75201+￥221.050710+￥215.284250+￥210.8631100+￥209.3254200+￥208.1721500+￥206.63441000+￥205.67332000+￥204.7122 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 4Pin SOT-22734981+￥182.843110+￥178.073350+￥174.4164100+￥173.1445200+￥172.1905500+￥170.91861000+￥170.12362000+￥169.3286 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 284000mW 4Pin SOT-22789761+￥334.806410+￥326.072350+￥319.3762100+￥317.0471200+￥315.3003500+￥312.97121000+￥311.51552000+￥310.0598 -
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品类: IGBT晶体管描述: ISOTOP降压斩波沟道IGBT ISOTOP Buck chopper Trench IGBT97661+￥256.875510+￥250.174450+￥245.0369100+￥243.2499200+￥241.9097500+￥240.12281000+￥239.00592000+￥237.8891 -
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品类: IGBT晶体管描述: ISOTOP升压斩波NPT IGBT ISOTOP Boost chopper NPT IGBT35741+￥158.281410+￥154.152350+￥150.9867100+￥149.8856200+￥149.0598500+￥147.95871000+￥147.27052000+￥146.5823 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 462000mW 4Pin SOT-22776881+￥245.100710+￥238.706750+￥233.8047100+￥232.0997200+￥230.8209500+￥229.11581000+￥228.05022000+￥226.9845 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules54661+￥274.028910+￥266.880350+￥261.3997100+￥259.4935200+￥258.0637500+￥256.15751000+￥254.96602000+￥253.7746 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules69301+￥265.778810+￥258.845450+￥253.5299100+￥251.6810200+￥250.2943500+￥248.44541000+￥247.28982000+￥246.1343 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules17471+￥293.917010+￥286.249650+￥280.3713100+￥278.3266200+￥276.7931500+￥274.74851000+￥273.47062000+￥272.1927 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。84091+￥638.403410+￥616.003350+￥613.2033100+￥610.4033150+￥605.9232250+￥602.0032500+￥598.08321000+￥593.6032 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61431+￥157.466110+￥153.358250+￥150.2089100+￥149.1135200+￥148.2919500+￥147.19651000+￥146.51192000+￥145.8273 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 149A 862000mW 4Pin SOT-22788891+￥234.042310+￥227.936850+￥223.2560100+￥221.6278200+￥220.4067500+￥218.77861000+￥217.76112000+￥216.7435 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 147A 625000mW 4Pin SOT-22788301+￥210.892810+￥205.391250+￥201.1733100+￥199.7063200+￥198.6060500+￥197.13891000+￥196.22202000+￥195.3050 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。26271+￥181.501110+￥176.766250+￥173.1362100+￥171.8736200+￥170.9266500+￥169.66401000+￥168.87492000+￥168.0858 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 400A 961000mW 4Pin SOT-22741361+￥594.578410+￥573.716050+￥571.1082100+￥568.5004150+￥564.3279250+￥560.6770500+￥557.02611000+￥552.8536
